技術(shù)
導(dǎo)讀:當(dāng)前 AI 服務(wù)器行業(yè)飛速發(fā)展,也進(jìn)一步推動(dòng)行業(yè)存儲(chǔ)需求顯著增長(zhǎng),導(dǎo)致傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(HDD)供應(yīng)持續(xù)緊張,Digitimes 報(bào)道稱其交付周期已延長(zhǎng)至兩年以上。
11 月 7 日消息,當(dāng)前 AI 服務(wù)器行業(yè)飛速發(fā)展,也進(jìn)一步推動(dòng)行業(yè)存儲(chǔ)需求顯著增長(zhǎng),導(dǎo)致傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(HDD)供應(yīng)持續(xù)緊張,Digitimes 報(bào)道稱其交付周期已延長(zhǎng)至兩年以上。
然而,由于 HDD 產(chǎn)能受限,無(wú)法快速滿足數(shù)據(jù)中心建設(shè)帶來(lái)的龐大存儲(chǔ)需求,北美及中國(guó)的云服務(wù)提供商(CSP)正在緊急增加大容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)的訂單,甚至不惜簽訂長(zhǎng)期協(xié)議,以期鎖定 2026 年的 HDD 與企業(yè)級(jí) SSD 貨源。
與此同時(shí),部分存儲(chǔ)芯片制造商 2026 年的 QLC NAND 閃存產(chǎn)能已被提前預(yù)訂完畢。有行業(yè)人士預(yù)測(cè) —— 到 2027 年,全球 QLC NAND 的存儲(chǔ)容量占比可能超過(guò) TLC NAND。
Digitimes 表示,雖然 SSD 價(jià)格遠(yuǎn)高于 HDD(IT之家注:價(jià)差至少 3-4 倍),但 CSP 廠商在當(dāng)前這一局面下仍不得不加大采購(gòu)大容量企業(yè)級(jí) SSD 的力度。
北美 CSP 廠商 2024 年采購(gòu)主力是 TLC NAND,但目前需求已轉(zhuǎn)向 128TB 至 256TB 的 QLC SSD。由于 NAND 芯片制造商穩(wěn)定供應(yīng)單顆 2Tb 容量芯片的能力有限,大容量 SSD 的生產(chǎn)面臨瓶頸。
中國(guó) CSP 廠商在 2025 年第二季度開(kāi)始意識(shí)到 HDD 供應(yīng)緊張,因難以獲得 HDD 產(chǎn)能,對(duì)高容量 SSD(如 64TB / 128TB)的需求成倍增加,以替代過(guò)去常用的 8TB / 16TB SSD。
受北美和中國(guó)服務(wù)器市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng),QLC SSD 的供應(yīng)仍無(wú)法完全填補(bǔ) HDD 缺口。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) CFM 估計(jì),2025 年第四季度企業(yè)級(jí) SSD 及 NAND 芯片價(jià)格漲幅將超過(guò) 20%,部分企業(yè)級(jí) SSD 價(jià)格漲幅可能達(dá)到 30%-40%;預(yù)計(jì) 2026 年服務(wù)器對(duì)企業(yè)級(jí) SSD 的存儲(chǔ)容量需求將比 2025 年增長(zhǎng)近 50%。
供應(yīng)鏈信息顯示,部分 NAND 制造商如美光的報(bào)價(jià)周期已縮短至“每周議價(jià)”;鎧俠已告知部分客戶無(wú)貨可供;三星電子位于西安的 NAND 工廠正處于從 V6-NAND 向 V8-NAND 技術(shù)過(guò)渡階段,2025 年上半年供應(yīng)量較少,預(yù)計(jì)下半年才會(huì)逐步增加。此外,部分 NAND 制造商自 2024 年底起策略性減產(chǎn)約 10%-15%,生產(chǎn)線尚未恢復(fù)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn),服務(wù)器廠商對(duì)大容量 QLC 和 TLC NAND 的緊急加單,可能影響消費(fèi)電子產(chǎn)品(如手機(jī))的 NAND 供應(yīng)分配。
另外,慧榮總經(jīng)理表示,HDD、NAND Flash 和 DRAM 首次同時(shí)面臨供應(yīng)短缺局面,價(jià)格已連續(xù)三個(gè)季度上漲,預(yù)計(jì)此情況至少將持續(xù)到 2026 年。
在 NAND 價(jià)格上漲的背景下,QLC NAND 供應(yīng)的增長(zhǎng)變得尤為重要。此前市場(chǎng)預(yù)期 QLC NAND 將在 2028 年底成為主流,但受當(dāng)前市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)影響,預(yù)測(cè) QLC 存儲(chǔ)容量超過(guò) TLC 的時(shí)間點(diǎn)可能提前至 2027 或 2028 年。
QLC NAND 技術(shù)近年來(lái)在良率提升和高層堆疊技術(shù)應(yīng)用方面取得進(jìn)展,成本優(yōu)勢(shì)顯現(xiàn)。下一代 PLC NAND 技術(shù)旨在進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度,但業(yè)界認(rèn)為其在可靠性和壽命方面面臨更大挑戰(zhàn),預(yù)計(jì)可能要到 2027-2028 年才能在部分產(chǎn)品中開(kāi)始應(yīng)用。