近期，存儲市場風云變幻，新一輪的價格上漲浪潮洶涌而至。

　　美光科技暫停DDR4、DDR5報價，三星、SK海力士等行業(yè)巨頭同步調整價格策略。目前，DRAM產品的漲幅普遍達15%-30%，NAND閃存價格亦上調5%-10%。從市場端看，DDR4內存半年累計漲幅超200%，而HDD、SSD、HBM等產品因AI需求爆發(fā)，出現了供不應求的局面。

　　存儲市場漲價動態(tài)：報價暫停、價格驟升

　　9月初，NAND閃存原廠閃迪（Sandisk）率先宣布，將對所有渠道通路及消費類產品實施全面價格上調，漲幅為10%。隨之，美光科技向客戶發(fā)出通知，所有DDR4、DDR5等存儲產品全部停止報價，報價暫停時間一周，且相關產品價格或將調漲20%-30%，其中汽車電子產品漲幅更高，預計達70%。

　　三星電子近期也向主要客戶傳達了漲價信息，表示將在第四季度上調產品合約交易價格，其中DRAM上漲15%-30%，NAND上漲5%-10%。同樣有市場消息傳出，SK海力士也將加入這波漲價行列。

　　此外，威剛、十銓等業(yè)內多家存儲模組廠也決定暫停報價，打算待漲價行情更為明確時再敲定最終價格。其中，威剛方面表示，由于DRAM貨源嚴重不足，公司須進一步管控庫存和調整配售方式，因此目前暫停報價，預計將持續(xù)至10月中旬。

　　十銓則稱，隨著歐美消費性電子進入傳統(tǒng)旺季，終端拉貨動顯著回升，加之上游原廠供給有限、庫存去化速度過快，公司決定采取彈性銷售策略，暫停對外報價。

　　針對這波漲價潮，多家國內存儲產業(yè)鏈廠商也給出了各自的判斷。江波龍在近日發(fā)布的投資者關系活動記錄表中，被問及存儲價格的漲幅時表示，根據CFM閃存市場預測，隨著AI服務器出貨規(guī)模持續(xù)擴大，下半年服務器NAND市場備貨需求升溫，四季度存儲市場價格將迎來全面上漲。目前，公司企業(yè)級PCIe SSD與RDIMM產品已開始批量導入國內頭部企業(yè)。截止至7月底，公司主控芯片全系列產品累計實現超過8000萬顆的批量部署，且部署規(guī)模仍在保持快速增長。

　　北京君正認為，按照市場一些觀點，漲價周期可能會持續(xù)到明年。目前消費市場更為明顯，行業(yè)市場情況稍微復雜一些，很多是長期合作的客戶。對于長期合作的大客戶，要綜合考慮很多因素?？傮w上，公司會參考市場情況進行一些價格策略的調整。另外，公司目前DRAM產能能夠滿足需求，且之前也有一些備貨，包括新制程的產品也提前下了一部分生產采購訂單，因此目前滿足供應需求是可控的。

　　兆易創(chuàng)新則提到，2024年及以前的利基DRAM市場主要由海外大廠主導，主要三大海外廠商占據了利基DRAM市場的主要份額。今年以來，行業(yè)供應格局出現了顯著的變化，海外大廠把產能往包括DDR5在內的主流產品遷移，逐漸淡出了利基DRAM市場，使得行業(yè)出現明顯的供應缺口。利基DRAM產品的價格從三月開始出現上漲，到第二季度出現了明顯的上漲。公司利基DRAM產品線的毛利率也從第一季度開始爬升，目前爬升到兩位數以上。在行業(yè)供不應求的狀態(tài)下，兆易創(chuàng)新預計漲價趨勢至少在下半年會得到延續(xù)。

　　漲價背后，到底誰在“搞事情”？

　　事實上，這輪存儲產品價格的上漲并非短暫的市場波動，其背后折射出的是整個科技產業(yè)正經歷的一場深度變革。AI產業(yè)需求的持續(xù)進階，以及存儲原廠戰(zhàn)略方向的轉變，正在共同重塑著存儲市場的供需態(tài)勢。

　　1.AI算力革命催生“存力”剛需

　　近年來，人工智能技術呈現出高速發(fā)展態(tài)勢，尤其是大模型應用得到了廣泛普及，全球數據中心正經歷著前所未有的算力軍備競賽。但除了對算力的極致追求，在這場競爭中也引發(fā)了對“存力”的剛性需求。內存容量和帶寬的大小，直接決定了AI模型的訓練效率和規(guī)模上限。

　　眾所周知，大模型的訓練需要海量數據的支撐，其對數據存儲的要求達到了前所未有的高度。以千億參數模型為例，單次訓練就需處理PB級的數據量，而傳統(tǒng)存儲架構在此面前力不從心，其固有的IO路徑冗長、并行處理能力低下等瓶頸，導致其難以滿足PB級數據的高速讀寫需求。當高速的GPU計算單元需要頻繁等待數據從慢速存儲中加載時，便會造成嚴重的“算力空轉”現象，極大拖累了整體訓練效率。

　　除此之外，PB級的數據量要求存儲系統(tǒng)具備極高的容量和靈活擴展能力。傳統(tǒng)存儲在擴容時，可能會面臨硬件兼容性、數據遷移等一系列問題，難以快速滿足大模型訓練的動態(tài)需求。而且，在大規(guī)模分布式存儲環(huán)境中，數據一致性維護難度極大，尤其是在多節(jié)點并行讀寫場景下，一旦出現數據丟失或數據不一致的情況，就可能影響模型訓練結果的準確性。

　　根據美光數據顯示，AI服務器對DRAM容量的需求是普通服務器的8倍，對NAND容量的需求則達到普通服務器的3倍。單臺AI服務器存儲需求更是高達2TB，遠超傳統(tǒng)服務器的配置標準。

　　在此背景下，AI的爆發(fā)對存儲芯片的容量、速度、穩(wěn)定性提出了更高的要求。摩根士丹利最新研報指出，AI模型的復雜度以及數據量呈現出爆炸式增長，這使得市場對高性能存儲芯片的需求達到了前所未有的高度。

　　以OpenAI的“星際之門”計劃為例，該項目與三星和SK海力士簽署了一項協(xié)議，每月將獲得高達90萬片DRAM晶圓。僅這一項交易，就將占據全球DRAM產量的近40%。而這筆交易背后所反映的，是全球范圍內對AI算力需求的爆炸式增長，同時也拉動了存儲芯片市場的發(fā)展。

　　2.原廠戰(zhàn)略轉向引發(fā)供給端“斷層式”收縮

　　另一方面，當傳統(tǒng)DDR4市場已經“卷”成了紅海，利潤空間被不斷壓縮。在這樣的背景下，存儲原廠迫切需要探尋新的業(yè)務增長點，向具備更高技術含量與利潤空間的高端產品線轉型，成為其發(fā)展的必然戰(zhàn)略方向。

　　DDR5作為新一代內存產品，實現了從底層架構設計到實際應用場景的全方位革新。由于其技術門檻更高，相應地其利潤率也大幅高于DDR4。而且在AI算力爆發(fā)、數據吞吐量激增的當下，DDR5所具備的技術特性精準契合了產業(yè)對“存力”的核心訴求，這也成為三星、美光等原廠主動收縮DDR4產能、布局DDR5以謀求未來發(fā)展的關鍵因素。

　　相較于DDR4，DDR5在多個方面進行了顯著優(yōu)化，以更好地滿足日益增長的高性能計算需求。據相關資料顯示，DDR5的起始速率為3200MT/s，最高可達8400MT/s，這意味著其能夠更快地加載和處理數據，有效縮短了系統(tǒng)的等待時間。

　　不僅如此，DDR5采用了先進的子通道架構設計，該設計極大提升了數據傳輸的效率，進一步增加了內存帶寬，進而提升了整個系統(tǒng)的運行性能。在性能提升的同時，DDR5還將工作電壓從DDR4的1.2V降低至1.1V，有效降低了功耗，減少了系統(tǒng)運行過程中的發(fā)熱問題。此外，DDR5支持單根UDIMM（無緩沖雙列直插式內存模塊）最大128GB的容量，相比DDR4的內存容量提升了4倍，為高性能計算提供了更為強大的存儲支持。

　　于是，存儲行業(yè)出現了一個清晰的戰(zhàn)略調整動向：三星、SK海力士、美光等原廠正將大量傳統(tǒng)DRAM（尤其是DDR4）產能轉向利潤更高的DDR5和HBM。這一調整過程中，DDR4的產能被削減，甚至部分舊產線被停產。

　　然而，市場的需求是分層的。AI產業(yè)在瘋狂搶購DDR5，但龐大的傳統(tǒng)消費電子、PC和傳統(tǒng)服務器市場，仍然需要大量的DDR4來支撐。這種供需結構的錯位，造成了“供給減少，需求仍在”的經典局面。

　　在DDR5尚未全面普及并成為市場主流產品的過渡階段，DDR4產品的供需缺口迅速擴大。根據市場供需基本規(guī)律，當供給無法滿足需求時，產品價格必然上漲，因此DDR4價格飆升成為必然的市場結果。

　　寫在最后

　　這輪存儲漲價，既是一場傳統(tǒng)存儲產業(yè)的“出清式調整”，更是AI算力革命引發(fā)的“產業(yè)鏈重構”。AI時下，存儲作為數字世界的基石，其重要性將愈發(fā)凸顯。未來的科技競爭，不僅是算力的競爭，更是存力的競爭。而存儲大漲只是一個開始，更大的變革還在后面。