7 月 1 日消息，紫光國芯官宣，其自主研發(fā)的PSRAM（注：偽靜態(tài)隨機存儲器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布。

　　此次上新的 PSRAM 產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議 Xccela，容量覆蓋 32Mb、64Mb 和 128Mb，采用 BGA24L 超薄封裝，同時也支持 KGD 產(chǎn)品形式。該系列產(chǎn)品可為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、穿戴電子產(chǎn)品和端側(cè) AI 產(chǎn)品打造存儲解決方案。

　　紫光國芯 PSRAM 產(chǎn)品在進一步實現(xiàn)芯片尺寸緊湊的同時，將產(chǎn)品速度提升至 1066Mbps，可實現(xiàn)最高 17.06Gb/s 的帶寬性能；還可支持在線動態(tài)可配置 X8、X16 模式，以適配不同應(yīng)用的需求。

　　為滿足物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備對長續(xù)航的需求，紫光國芯 PSRAM 系列產(chǎn)品支持包括 Half Sleep 的低功耗設(shè)計，主力產(chǎn)品支持常規(guī) 1.8v 低壓供電，即將上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 雙壓和 1.2v DVFS0.6v 兩種超低功耗模式。

　　此外，基于工規(guī)級寬溫域的設(shè)計，該系列產(chǎn)品可適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴等各類復(fù)雜應(yīng)用場景的多樣化需求。