極紫外光刻(英語(yǔ)：Extremeultravioletlithography，也稱(chēng) EUV 或 EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長(zhǎng)的下一代光刻技術(shù)，其波長(zhǎng)為 13.5 納米，預(yù)計(jì)將于 2020 年得到廣泛應(yīng)用。幾乎所有的光學(xué)材料對(duì) 13.5nm 波長(zhǎng)的極紫外光都有很強(qiáng)的吸收，因此，EUV 光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)只有使用反光鏡。

與常用光源相比，采用 EUV 的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮，但其相應(yīng)的制造成本也跟著水漲船高。主要由于 EUV 光刻設(shè)備價(jià)格高昂。

ASML 稱(chēng)，第 3 季光售出 7 套 EUV 系統(tǒng)就進(jìn)帳 7.43 億歐元，等于每套系統(tǒng)要價(jià)超過(guò) 1 億歐元。這還不包括半導(dǎo)體制程控管與測(cè)試設(shè)備成本。因此，晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢(shì)。

臺(tái)積電 10 月召開(kāi)業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)時(shí)宣布今年資本支出達(dá) 140 億至 150 億美元，高于原先設(shè)定目標(biāo)近 40%，創(chuàng)下臺(tái)積電單年資本支出最高紀(jì)錄。英特爾隨后宣布加碼 3%，今年資本支出目標(biāo)達(dá) 160 億美元，創(chuàng)公司成立以來(lái)最高紀(jì)錄，比兩年前高出 36%。

三星也在上周宣布，今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約 200 億美元。三星公布的金額略少于去年，但業(yè)內(nèi)分析師表示，三星今年大幅減少投資存儲(chǔ)器生產(chǎn)，是為了將更多的資源投入下一代晶圓代工廠。

另一個(gè)晶圓制造大廠，也就是英特爾，其 10nm 的晶體管密度基本已經(jīng)達(dá)到臺(tái)積電 / 三星的 7nm EUV 水平，而其使用的制程僅僅只是和臺(tái)積電類(lèi)似的多重顯影 DUV 技術(shù)，而其未來(lái)的 7nm 才會(huì)真正引入 EUV 技術(shù)，借以實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度，但根據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，英特爾的 7nm 技術(shù)能實(shí)現(xiàn)的晶體管密度可能和三星的 5nm 大同小異，而同樣會(huì)落后于臺(tái)積電的 5nm。

晶圓代工廠資本支出大增的同時(shí)，意味著半導(dǎo)體設(shè)備廠將獲益良多。ASML 表示，第 3 季單季接 23 套 EUV 系統(tǒng)訂單，創(chuàng)單季訂單金額最高記錄;半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊上周公布，會(huì)計(jì)年度第 1 季營(yíng)收年增率達(dá) 29%，并表示 EUV 投資是業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的主要因素。

據(jù)悉，明年 EUV 需求預(yù)料更加旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備廠前景向好。